2N7000 N channel FET 由於 gate G 沒有 Zener diode 保護，有時候會被靜電擊穿損壞。

+紅棒點 D (drain), 黑棒點S(source)，此時應該不通，電阻量不到。

用三用電表 2k檔，+棒同時點 G&D，-棒點S，此時會導通，電阻約 1.xK 左右。如果用 < 1k 檔，就量不到。

2N7000 不是號稱 on resistance 5 ohms 嗎？為何量不到? 這是因為三用電表的內阻 > 5 ohms 太多，所以導致 GS 的串聯分壓 < Vt，所以是 off。

如果用 200 ohms 檔，+棒點 G，-棒點S，馬上+棒點D，此時的確可以量到 2N7000接近 5 ohms. 這時候 G 充滿電了，DS 導通。接著把 GS 短路，把G 放電，再量，DS 不通。

上面G充電的方法，用在有 gate Zener diode ESD 保護 的 MOS transistor 一般是不行的。G 的電似乎很快被 Zener diode 放掉。