flash memory 快閃記憶體 廣泛用在隨身碟，SD card, CF card, SSD

為了讓 flash memory 快閃記憶體容量增加， flash memory 有分 SLC,MLC,TLC

flash memory 是用 gate 端儲存的電壓來儲存資料。每個 cell 存的 bit 愈多，代表 gate 電壓必須可以區分的更細。gate 儲存的電子可能跑掉， 就可能讓資料錯誤，所以可靠度(寫入次數/保存期限) SLC > MLC > TLC。速度上也以 SLC 的速度比較快，只是相同容量來比，SLC 比較貴。

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SLC : single bit per cell 寫入次數：100000

MLC : 2 bits per cell 寫入次數：3000 -10000

TLC : 3 bits per cell  寫入次數：500-1000

全球NAND Flash產業即將在2010年進入TLC(Triple-Level Cell)元年，記憶體廠紛進入....

韓廠TLC晶片傳退貨風波　NAND Flash世代交替不順

為了減少電子跑掉時 bits 損壞的比例，應該是用 grey code (gray code) 比較多，而不是用直接用 binary 進位

 

binary code

000
001
010
011
100
101
110
111

 

gray code

000
001
011
010
110
111
101
100